电子材料制造用高纯度4N氧化铝粉的参数分析

发布日期：2024-12-19      浏览次数：262

电子材料制造用高纯度4N氧化铝粉的参数分析

Taimicron是采用戴美化学多年培育的铝化合物合成技术生产的高纯度、超细精细陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
铵钠铝石（NH）

低温烧结氧化铝

烧结用太微粉是一种高纯度α-氧化铝粉末，由于其初级颗粒细小且单晶，可以在极低的温度下烧结致密化。

■特点

99.99%以上的高纯度超细粉末。

它在低温下烧结并致密化。
经过1250℃至1300℃烧成，致密化至理论密度的98%以上。

可以获得表现出氧化铝原有性能的优异烧结体。
陶瓷具有高强度、高硬度、优异的耐磨性和耐腐蚀性。

半透明陶瓷可以很容易地获得
半透明陶瓷可以通过HIP烧结等来获得。

■典型特性值

年级		超滤膜	TM-DA	TM-DAR	TM-5D
晶型		α-氧化铝	α-氧化铝	α-氧化铝	α-氧化铝
BET比表面积	平方米/克	17.0	12.5	13.5	9.0
一次粒径*1	微米	0.09	0.12	0.12	0.20
静态堆积密度	克/立方厘米	0.8	0.8	0.9	0.8
振实密度	克/立方厘米	1.0	0.9	1.0	1.1
成型密度*2	克/立方厘米	2.3	2.2	2.3	2.3
烧结密度	克/立方厘米	3.93 *3	3.95 *4	3.96 *4	3.93 *5

*1：根据SEM照片测量 *2：单轴压制成型（98MPa）
*3：1250℃ *4：1350℃ *5：1400℃（在空气中各烧成1小时）

过渡型氧化铝*非常抱歉，目前已停止销售。

主相为γ、θ的氧化铝。

■特点

具有极细颗粒和大比表面积的粉末。

它具有高活性和优异的反应活性。

■典型特性值

年级		TM-100	TM-300	TM-100D	TM-300D
晶型		θ-氧化铝	γ-氧化铝	θ-氧化铝	γ-氧化铝
BET比表面积	平方米/克	120	220	120	200
一次粒径*1	微米	0.014	0.007	0.014	0.010
静态堆积密度	克/立方厘米	0.15	0.05	0.40	0.40
振实密度	克/立方厘米	0.18	0.08	0.60	0.60

*1：根据 BET 值计算

目的

高强耐磨材料
人造骨、牙科材料、轴承等。

电子材料
IC基板、半导体制造夹具、传感器等

光学材料
透光陶瓷、红宝石、YAG等

其他
各种填料、合成尖晶石、催化剂载体等